通过设计的面向取向，抢占DPh-DNTT薄膜的面外迁移率提高了3.3×10−2 cm2 V−1 s−1，优于迄今为止报道的HTMs。

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然后，抢占为了定量的分析压电滞回线的凹陷特征，构建图3-8所示的凸结构曲线。

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